Laporan Akhir Modul 2 Voltage Divider Bias

   [KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]



1. Jurnal
 [Kembali]





2. Prinsip Kerja [Kembali]





 Rangkaian Voltage Divider Bias adalah salah satu cara untuk mem-polarisasi transistor bipolar agar bekerja dalam daerah aktif (active region). Prinsip kerja rangkaian Voltage Divider Bias adalah menggunakan pembagi tegangan (voltage divider) dengan dua resistor untuk menentukan tegangan basis-emitor (VBE) pada transistor.
    Pilih dua resistor, yaitu resistor basis (R1) dan resistor kolektor (R2), dengan nilai-nilai tertentu. Nilai-nilai resistor ini akan mempengaruhi titik kerja (Q point) transistor. Rangkaian Voltage Divider Bias menggunakan dua resistor (R1 dan R2) yang dihubungkan secara seri antara tegangan catu daya positif (Vcc) dan ground (0V). Tegangan Vcc dibagi antara kedua resistor ini. Tegangan VBE adalah tegangan yang diterapkan antara basis dan emitor transistor, yang diperlukan agar transistor bekerja dalam mode aktif.

    Salah satu keunggulan dari rangkaian Voltage Divider Bias adalah stabilitasnya terhadap perubahan suhu. Ini karena perubahan tegangan catu daya tidak langsung mempengaruhi tegangan basis-emitor yang dihasilkan oleh pembagi tegangan. Dengan merancang resistor R1 dan R2 dengan benar, kita dapat memastikan transistor berada pada titik kerja yang stabil dalam daerah aktifnya di kurva karakteristik transistor. ​Di mana VCE adalah tegangan kolektor-emitor


3. Video percobaan [Kembali]



4. Analisa [Kembali]

1. Analisa prinsip kerja dari rangkaian voltage divider bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan

jawab :


Prinsip kerja rangkaian Voltage Divider Bias adalah untuk memberikan tegangan basis yang sesuai pada transistor, sehingga transistor dapat mengatur arus kolektor dengan benar.


Pemilihan Komponen:Dalam percobaan, Anda akan memilih komponen seperti transistor NPN, dua resistor pembagi tegangan (RB1 dan RB2), resistor kolektor (RC), dan sumber tegangan (Vcc) sebesar 12 volt

 Tegangan Input Vcc 12 V  mengalir kedua arah yaitu menuju RC(1k ohm) dan RB1 (10k ohm) dan akan menghasilkan Ic dan Ib diukur di pasang secara seri. Arus Ib akan melewati kaki base dan Arus Ic akan melewati kaki kolektor . Lalu kedua arus akan keluar melalui kaki emitterselanjutnya melalui Resistor emitter (RE) akhirnya arus menuju ground. Arus Ib tadi juga kan mengalir ke RB2 yangakan juga menuju ke ground.

    Arus yang mengalir melalui Kaki Base ke Kaki emitter akan menghasilkan tegangan VBE , Arus yang mengalir dari Kaki kolektor ke kaki emitter  menghasilkan tegangan VCE yang dapat diukur dan dipasang secara paralel

   Arus yang melalui RB  masuk ke kaki base menghasilkan tegangan VRB dan arus yang mengalir ke RC lalu selanjutnya kaki kolektor menghasilkan tegangan VRC. Arus Yang keluar melalui Kaki emitter lalu mengalir melalui RE menghasilkan tegangan RE (VRE). 


    2. Tentukan titik kerja (Q Point) dari percobaan voltage divider bias (dalam bentuk grafik) 

    jawab : 





    3. Nilai apakah yang mempengaruhi perubahan titik kerja (Q point) 

    jawab : Berikut adalah beberapa nilai yang mempengaruhi perubahan Q Point dalam Voltage Divider Bias:

    • Nilai Resistor Basis (RB1 dan RB2): Nilai-nilai resistor dalam pembagi tegangan (RB1 dan RB2) berpengaruh besar terhadap Q Point. Semakin besar nilai total resistansi (RB1 + RB2), semakin besar arus basis (Ib), yang akan mempengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emas (Vce). Perubahan nilai-nilai RB1 atau RB2 dapat memindahkan Q Point.
    • Nilai Resistor Kolektor (RC): Nilai resistor kolektor (RC) juga memengaruhi arus kolektor (Ic) dan tegangan kolektor-emas (Vce). Semakin besar RC, semakin kecil Ic, dan Vce cenderung meningkat. Perubahan RC juga akan memengaruhi Q Point.
    • Nilai Tegangan Sumber (Vcc): Nilai tegangan sumber (Vcc) akan memengaruhi tingkat potensial tegangan kolektor-emas (Vce) yang tersedia saat transistor beroperasi. Peningkatan Vcc akan memengaruhi karakteristik operasi transistor dan Q Point.
    • Nilai-nilai Parameter Transistor: Karakteristik transistor, seperti hfe (gain arus), Vbe (tegangan basis-emas), dan Vce (tegangan kolektor-emas), dapat berbeda antara transistor yang berbeda. Penggunaan transistor dengan parameter yang berbeda akan memengaruhi Q Point.

    5. Video Penjelasan [Kembali]







    6. Link download [Kembali]

    download video percobaan disini

    download video penjelasan disini

    Komentar

    Postingan populer dari blog ini

    Tugas Besar Dispenser Otomatis

    PERANGKAT LUNAK

    BAHAN PRESENTASI UNTUK MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2023